航空航天

QWED SiPDR单柱介电谐振器

SiPDR(单柱介电谐振器)用于测量超材料和电阻膜的表面阻抗,以及用于半导体晶片的电导率的非接触式测量;可以测量的薄膜材料范围包括表面阻抗Rs <20kΩ/sq的电阻层、金属薄膜和导电聚合物薄膜。

对于半导体晶片,电阻率测量的上限约为1000Ωcm。 具有较高电阻率值的半导体可以使用该谐振器方便地进行测量。所有SiPDR(单柱介电谐振器)都是定制的。

积社科技_QWED_SiPDR单柱介电谐振器原理图

类型

参数

厚度为h的样品的测量精度

±2%

工作频率

5 GHz

工作温度范围

-270°C 至 110°C